集成芯片结构及其形成方法

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集成芯片结构及其形成方法
申请号:CN202411532112
申请日期:2024-10-30
公开号:CN119517902A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本公开实施例涉及集成芯片。集成芯片包括布置在具有彼此堆叠的多个层间介电(ILD)层的介电结构内的多个导电互连件。热管垂直延伸穿过多个ILD层。高热导率层夹置在多个ILD层的相邻层之间。高热导率层从多个导电互连件中的一个或多个上方横向延伸至热管。本申请的实施例还涉及集成芯片结构及其形成方法。
技术关键词
集成芯片结构 导电互连 热管 蚀刻停止层 介电结构 层间介电层 磷化铝 氧化铍 氮化镓 氮化铝 氮化硼 衬底 金刚石 碳化硅 氧化铝 石墨 通孔 界面
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