集成芯片结构及其形成方法
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集成芯片结构及其形成方法
申请号:
CN202411532112
申请日期:
2024-10-30
公开号:
CN119517902A
公开日期:
2025-02-25
类型:
发明专利
摘要
本公开实施例涉及集成芯片。集成芯片包括布置在具有彼此堆叠的多个层间介电(ILD)层的介电结构内的多个导电互连件。热管垂直延伸穿过多个ILD层。高热导率层夹置在多个ILD层的相邻层之间。高热导率层从多个导电互连件中的一个或多个上方横向延伸至热管。本申请的实施例还涉及集成芯片结构及其形成方法。
技术关键词
集成芯片结构
导电互连
热管
蚀刻停止层
介电结构
层间介电层
磷化铝
氧化铍
氮化镓
氮化铝
氮化硼
衬底
金刚石
碳化硅
氧化铝
石墨
通孔
界面
沪ICP备2023015588号