一种模拟生成硅片化学清洗腐蚀表面的方法

本发明涉及硅片表面处理技术领域，公开了一种模拟生成硅片化学清洗腐蚀表面的方法，包括：将化学清洗腐蚀硅片表面视为多个二维空间频率函数组成；设置激活能来区分硅片腐蚀表面的不同晶面的各向异性；基于硅片在腐蚀过程中的表面微观上服从玻尔兹曼分布函数，再结合晶面的激活能，将玻尔兹曼分布函数演变得到硅片表面的不同晶面的腐蚀概率分布函数；再将初始振幅值函数结合腐蚀概率分布函数，即得硅片表面的不同晶面各向异性腐蚀的振幅函数；根据二维空间频率函数和振幅函数，即得表示硅片腐蚀表面的模拟表达式；根据模拟表达式，模拟得到腐蚀硅片的可视化表面轮廓图。该方法模拟生成的可视化表面轮廓图更直观，并能提升模拟的准确性和普适性。