VCSEL芯片驰豫振荡频率预估方法、装置、设备、介质和程序产品

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VCSEL芯片驰豫振荡频率预估方法、装置、设备、介质和程序产品
申请号:CN202411533201
申请日期:2024-10-30
公开号:CN119199259B
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种VCSEL芯片驰豫振荡频率预估方法、装置、设备、介质和程序产品。所述方法包括:获取VCSEL芯片的RIN测试数据;基于RIN测试数据中表征各频率下的RIN强度的数据点集,得到频率响应曲线图;频率响应曲线图的横轴表示频率大小且纵轴表示RIN强度大小;对频率响应曲线图进行微分处理,得到一阶导数曲线图;将一阶导数曲线图中零点对应的频率,作为VCSEL芯片的理论弛豫振荡频率。采用本方法能够利用VCSEL芯片已有的RIN测试数据确定出VCSEL芯片的理论弛豫振荡频率,提高VCSEL芯片测试过程的数据利用率。
技术关键词
VCSEL芯片 频率响应 理论 数据 光强度 高斯滤波器 纵轴 横轴 计算机程序产品 处理器 模块 计算机设备 可读存储介质 存储器 极值
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