一种提高多叠层闪存封装工艺良率和产品可靠性的方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种提高多叠层闪存封装工艺良率和产品可靠性的方法。包括如下步骤：S1，将若干芯片错位堆叠；S2，相邻芯片之间通过焊线键合，芯片焊盘与焊线处形成焊点；S3，对焊线进行光学检查，观察焊点处是否存在外物沾染；S4，如存在外物沾染，破坏该焊点与上、下层芯片焊盘之间的连接，并进行步骤S5，如不存在外物沾染，则进行下一工序；S5，再次进行光学检查，确认存在外物沾染的焊点已完全孤立。同现有技术相比，在封装工艺环节截断单个不良焊点上、下连接处，避免整个封装体中所有已贴装闪存芯片被报废，从而提高封装工艺良率。