一种MOSFET器件的寿命预测方法、装置、终端设备和存储介质

本发明公开了一种MOSFET器件的寿命预测方法、装置、终端设备和存储介质，可以将MOSFET器件在一时间段内阈值电压、通态电阻的时间序列数据输入到寿命预测模型中，从而通过寿命预测模型来捕捉时间序列中的长期依赖关系，即通过分析时间序列中各个时间点的电阻和电压，从而可以提取出阈值电压与通态电阻随时间进行非线性变化的时序特征，并对这些特征分配不同的权重，最后通过结合各个时序特征和对应的权重，准确地捕捉器件在退化过程中的电压趋势变化和电阻趋势变化，从而得出器件的剩余寿命。则本发明可以有效地考虑器件内部的阈值电压和通态电阻随时间发生的非线性变化趋势，并准确预测器件的剩余寿命，提高了寿命预测的准确性。