图像传感器集成芯片结构及其形成方法

本发明涉及一种多维图像传感器集成芯片(IC)结构。多维图像传感器IC结构包括设置在布置于第一集成芯片(IC)层级的像素阵列中的多个像素区内的多个图像感测元件。所述多个像素区包括多个有源像素区以及一个或多个伪像素区。多个像素支撑器件设置在与第一IC层级接合的第二IC层级内的第二衬底上。多个逻辑器件设置在与所述第二IC层级接合的第三IC层级内。衬底贯通孔(TSV)垂直延伸穿过位于所述多个像素支撑器件的横向外侧并位于所述像素阵列正下方的所述第二衬底。本申请的实施例还涉及图像传感器集成芯片结构及其形成方法。