微型发光二极管芯片及其制作方法、以及显示装置

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推荐专利
微型发光二极管芯片及其制作方法、以及显示装置
申请号:CN202411543927
申请日期:2024-10-31
公开号:CN119403337A
公开日期:2025-02-07
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种微型发光二极管芯片及其制作方法、以及显示装置,微型发光二极管芯片包括发光叠层、像素间沟槽和侧壁反射结构,发光叠层具有像素阵列区域,像素阵列区域包括至少一个像素区域以及像素沟道区域,像素沟道区域环绕每个像素区域设置,发光叠层包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层,像素间沟槽设于像素沟道区域并贯穿至第一半导体层,侧壁反射结构设于像素沟道区域,并包括设于像素间沟槽内并填充像素间沟槽内的部分空间的侧壁反射层、以及设于侧壁反射层背离像素间沟槽底壁面的一侧上并填充像素间沟槽内的剩余空间的吸光保护层,从而可提高发光效率,并改善像素间串扰问题,因而能够降低功耗,并改善显示效果。
技术关键词
微型发光二极管芯片 侧壁反射层 半导体层 侧壁反射结构 发光叠层 沟槽 像素阵列 壁面 显示装置 电流 电极 层叠 扩散层 外延 凹槽 发光层 导电
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