一种提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法、装置、设备及介质

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一种提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法、装置、设备及介质
申请号:CN202411551355
申请日期:2024-11-01
公开号:CN119479737A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明实施例提供了一种提升Dramless QLC SSD使能RAID写性能的方法、装置、设备及介质,涉及固态硬盘技术领域。其中,所述方法包括:获取Dramless QLC SSD的RAID parity;将所述RAID parity第一次编程写入到所述Dramless QLC SSD中;将所述RAID parity暂存到预设的缓存区域中;从所述缓存区域中提取所述RAID parity,将所述RAID parity第二次编程写入到所述Dramless QLC SSD中。通过将所述RAID parity暂存到预设的缓存区域中,从而在第二次写入时无需重复计算RAID parity,可以直接从缓存区域中提取所述RAID parity,降低了计算资源的占用,且极大地提高了效率,从而提升了Dramless QLC SSD使能RAID的写性能。
技术关键词
编程 固态硬盘技术 计算机设备 处理器 可读存储介质 存储器 算法
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