一种用于实现半导体存储芯片的制备方法及系统

本发明涉及芯片制造领域，提出了一种用于实现半导体存储芯片的制备方法及系统，所述方法包括：首先获取芯片参数择定半导体材料并预处理，确定待沉积区域后沉积绝缘层和导电层构建多层结构框架，进而确定各层最佳厚度和布局并计算读写预期值，接着依据读写预期值确定性能指标，评估制备可行性得到制备评估数据，查询影响因素计算影响程度值，然后根据影响程度值配置封装材料构建固化环境，监测固化进程状态并对异常溯源，最后分析异常源集中的目标，识别异常存储因子，基于此监测反馈数据生成芯片制备方案。本发明可以提升半导体存储芯片的制备稳定性。