晶圆背面欧姆接触制备方法、装置、设备和存储介质

本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆背面欧姆接触制备方法、装置、设备和存储介质，包括：对经过正面工艺处理后的晶圆的背面进行金属化处理，以在晶圆的背面形成欧姆金属，其中，晶圆的背面包括芯片区域与划片道区域；基于预设的区域定位条件，对与划片道区域对应的欧姆金属不进行激光退火，同时对与芯片区域对应的欧姆金属进行激光退火，以在欧姆金属与晶圆之间形成欧姆合金；对与划片道区域对应的欧姆金属剥除。本申请公开的晶圆背面欧姆接触制备方法，解决了激光退火方式易导致激光的产能和寿命降低，且导致划片刀轮的寿命降低的问题，使得在后续切割时有效地延长了划片刀轮的寿命，并且激光退火的产能和激光寿命得到提高。