先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统

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先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统
申请号:CN202411556268
申请日期:2024-11-04
公开号:CN119069409A
公开日期:2024-12-03
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体加工技术领域,具体涉及一种先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统。从键合面一侧对准标识所在位置加工TSV窗口槽结构,能够从晶圆的键合面TSV窗口槽结构的位置识别晶圆背面的对准标识;由键合面一侧沉积氧化物介质,氧化物介质具有透明度,以能够从晶圆的键合面识别所述对准标识;在氧化物介质表面沉积光刻胶,刻蚀并去除刻蚀后的光刻胶;根据对准标识,对准晶圆和载体衬底,完成芯片封装。该方法基于封装对准系统实现。封装结构和封装对准系统均可以用于封装方法。光刻过程中,将光刻胶涂覆在氧化物介质层的表面,可以解决直接向TSV窗口槽中填充光刻胶,造成光刻胶填充深度过深,清洗不净的问题。
技术关键词
对准标识 封装方法 介质 对准系统 载体衬底 封装结构 晶圆背面对准 显影处理过程 槽结构 透明度 光刻胶涂覆 光学系统 执行机构 位置识别 光刻胶层 芯片封装
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