摘要
本发明属于半导体加工技术领域,具体涉及一种先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统。从键合面一侧对准标识所在位置加工TSV窗口槽结构,能够从晶圆的键合面TSV窗口槽结构的位置识别晶圆背面的对准标识;由键合面一侧沉积氧化物介质,氧化物介质具有透明度,以能够从晶圆的键合面识别所述对准标识;在氧化物介质表面沉积光刻胶,刻蚀并去除刻蚀后的光刻胶;根据对准标识,对准晶圆和载体衬底,完成芯片封装。该方法基于封装对准系统实现。封装结构和封装对准系统均可以用于封装方法。光刻过程中,将光刻胶涂覆在氧化物介质层的表面,可以解决直接向TSV窗口槽中填充光刻胶,造成光刻胶填充深度过深,清洗不净的问题。
技术关键词
对准标识
封装方法
介质
对准系统
载体衬底
封装结构
晶圆背面对准
显影处理过程
槽结构
透明度
光刻胶涂覆
光学系统
执行机构
位置识别
光刻胶层
芯片封装