一种深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法

本发明提出了一种深台面结构侧壁光滑成型的厚胶光刻方法，包括诶下步骤：使用旋涂设备在芯片表面涂覆一层均匀致密的正性光刻胶；前烘：将涂覆好光刻胶的芯片放置在第一温度环境下进行烘烤；将前烘后的芯片放置在接触式光刻机样品台上并放置好掩膜版，调节WEC至合适位置后进行曝光；后烘：将曝光后的芯片放置在第一温度环境下进行烘烤；显影：配置合适的显影液，将后烘后的芯片放置在显影液中用于去除感光后的部分，完成台面掩膜的成型；采用梯度升温的方式，对显影后的芯片进行坚膜工艺处理。本申请尤其是能够改善侧壁质量，减少侧壁的粗糙度，有助于提高钝化层的附着质量，从而提升红外探测器的性能。