非易失存储-SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统

本申请提供一种非易失存储‑SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统，所述非易失存储‑SRAM数据转移单元包括；以矩阵形式排列的M*N个非易失存储存储单元、SRAM存储单元以及处于所述以矩阵形式排列的M*N个非易失存储存储单元与所述SRAM存储单元之间的多路复用单元；所述M*N个非易失存储存储单元通过所述多路复用单元复用所述SRAM存储单元；其中，M和N均为正整数。