抑制铟镓砷盖革雪崩焦平面串扰的阵列结构及其制备方法

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抑制铟镓砷盖革雪崩焦平面串扰的阵列结构及其制备方法
申请号:CN202411564741
申请日期:2024-11-05
公开号:CN119521807A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了抑制铟镓砷盖革雪崩焦平面串扰的阵列结构及其制备方法。该阵列结构由上至下依次包括衬底、铟镓砷缓冲层、铟镓砷层、雪崩层和接触层;像元与像元之间采用深台面隔离沟槽进行隔离,深台面隔离沟槽的深度到达铟镓砷缓冲层;深台面隔离沟槽的底层和侧壁上设置有介质包覆层。制备过程中,采用深台面隔离沟槽进行像素阵列隔离,并在深台面隔离沟槽表面使用介质材料包覆镀膜形成介质包覆层。本发明中的阵列结构能抑制焦平面阵列中近邻像元由串扰产生的雪崩信号,提升铟镓砷盖革雪崩焦平面探测器的成像质量。
技术关键词
隔离沟槽 焦平面探测器 台面 衬底 缓冲层 像素阵列 氧化硅 芯片阵列结构 包覆层 接触层 介质 金属材料 镀膜 氮化硅层 抛光 多层结构 成像
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