键合结构、芯片及键合结构的制备方法

本申请提供了一种键合结构、芯片及键合结构的制备方法，该键合结构包括第一堆叠片、第二堆叠片以及键合层；键合层淀积于第一堆叠片与第二堆叠片之间，以键合第一堆叠片与第二堆叠片；键合层的材料为无机材料，并能够吸收激光的能量以实现解键合。该键合结构，通过采用与微电子工艺相容的无机物质作为键合层的材料，并用于在解键合过程中吸收激光的能量转化为热能破坏原有键合层的理化性质或者局部汽化，从而实现对键合结构的解键合。本结构实现的工艺完全与现代微电子工艺技术兼容，同时本结构降低了键合结构在进行解键合过程中碎片的风险，从而也提高了对键合结构进行解键合的效率。