MOS晶体管的封装级测试方法及装置

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MOS晶体管的封装级测试方法及装置
申请号:CN202411569477
申请日期:2024-11-05
公开号:CN119438842A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本申请涉及半导体制造技术领域,提供了MOS晶体管的封装级测试方法及装置。该方法包括:获取待测MOS晶体管的测试文本;其中,所述测试文本包括所述待测MOS晶体管的应用场景的环境参数信息、测试逻辑;基于所述环境参数信息生成多个环境参数集;分别在各个所述环境参数集对应的测试环境中基于所述测试逻辑对所述待测MOS晶体管进行测试,得到所述待测MOS晶体管的测试参数信息集;基于所述测试参数信息集判断所述待测MOS晶体管是否合格。该方法提高了测试结果的准确性和可靠性,能够有效降低产品被投入市场后出现故障的概率。
技术关键词
环境参数信息 电压 测试方法 MOS晶体管 栅极 逻辑 指数 关系 文本 测试模块 电流 曲线 笛卡尔 纵轴 横轴 场景 算法
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