一种低表面张力二氧化硅蚀刻液及其制备方法和应用

本发明公开了一种低表面张力二氧化硅蚀刻液，其包括氢氟酸、氟化铵、去离子水和添加剂；该添加剂先由马来酸酐、多元醇二烯烃醚和丙烯酰氧基三甲氧基硅烷共聚反应，然后在酸性条件下水解反应得到。本发明的低表面张力二氧化硅蚀刻液，解决了传统蚀刻液在半导体制造过程中存在的蚀刻选择性不高、蚀刻均匀性差、对硅基材腐蚀严重以及容易产生缺陷等问题；通过本发明的蚀刻液，不仅可以有效降低表面张力、提高蚀刻液与硅基材的亲和力，而且还能增强蚀刻过程中对二氧化硅的选择性蚀刻能力，减少对硅基材的腐蚀，实现更加均匀和精确的蚀刻效果，从而提高半导体芯片的生产质量和良率。本发明还公开了一种低表面张力二氧化硅蚀刻液的制备方法和应用。