一种多芯片基板级封装方法、封装结构及射频芯片

本发明实施例公开了一种多芯片基板级封装方法、封装结构及射频芯片，该封装方法首先提供一基板；其中，基板包括相互背离的第一表面和第二表面，第一表面包括多个凹槽容纳区和位于相邻两个凹槽容纳区之间的切割区，然后将不同类型的芯片一一对应放置于凹槽容纳区内，且各芯片的第三表面朝向凹槽容纳区的底部；其中，芯片的第三表面包括电极结构，之后对各芯片进行注塑塑封处理，以将各芯片包覆在塑封层中；其中，在基板的厚度方向上，凹槽容纳区的凹陷深度与塑封层的厚度相同，之后在第二表面上进行通孔制作处理，直至暴露出各芯片的部分电极结构，最后在第二表面上形成金属互联线路，且金属互联线路通过通孔与对应的电极结构电连接。