半导体器件

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推荐专利
半导体器件
申请号:CN202411574425
申请日期:2024-11-06
公开号:CN119997519A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本公开涉及半导体器件。半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一线圈、第二线圈、第三线圈、第四线圈、第一保护环和第二保护环。第一线圈和第二线圈被形成在半导体衬底上。第三线圈通过绝缘膜面向第一线圈。第四线圈通过绝缘膜面向第二线圈。第一保护环被形成为在平面视图中围绕第三线圈。第二保护环被形成为在平面视图中围绕第四线圈。第一保护环和第二保护环彼此相邻,同时在平面视图中彼此间隔开。
技术关键词
保护环 半导体器件 线圈 半导体芯片 绝缘膜 半导体衬底 传输电路 布线 变压器 短距离 直线 拐角 绕组 低压 电压 弯曲 高压 信号
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