MOS场效应管阈值电压调节方法、装置、设备及存储介质

本发明涉及电压调节技术领域，公开了一种MOS场效应管阈值电压调节方法、装置、设备及存储介质，其中，该方法包括：基于初始结构参数对MOS场效应管进行多组栅极电压和漏极电压扫描，得到多维电压‑电流特性数据矩阵；进行特征提取和拟合，得到初始阈值电压函数；计算实际阈值电压值并进行比对，得到阈值电压偏差量；设计离子注入参数进行结构参数调控，得到调控后的结构参数；进行多温度点阈值电压仿真，得到温度‑阈值电压响应曲线；构建自适应PID控制器并进行阈值电压的动态补偿，输出实时阈值电压优化策略，该方法能够综合考虑器件结构参数、工艺波动、温度影响等多方面因素，实现阈值电压的精确控制和动态补偿。