一种宽带近红外荧光陶瓷及其制备方法和应用

本发明提供一种宽带近红外荧光陶瓷及其制备方法和应用，涉及发光材料技术领域。此宽带近红外荧光陶瓷的化学组成为MgAlxSiyOz:mCr3+，制备方法包括：将原料充分混合得到均匀混合物，将均匀混合物先压制成素胚，随后压制成毛坯并在真空条件下进行固相反应，经冷却后得到宽带近红外荧光陶瓷。与现有技术相比，本发明制得的宽带近红外荧光陶瓷由于其导热性能（~10 W/m/K）远高于有机树脂（~0.2 W/m/K），因此能够承受高功率LED/LD激发光的辐照，由其制备的发光装置有效解决了传统粉体封装装置中有机固化胶在LED芯片长期高温工作中易老化而引发发光性能下降的问题。