用于抑制SiC MOSFET关断过冲电压及振荡的缓冲电路及参数计算方法

本发明公开了一种用于抑制SiC MOSFET关断过冲电压及振荡的缓冲电路及参数计算方法，所述缓冲电路连接在双缓冲电路中，所述缓冲电路包括缓冲电容Csnub和缓冲电阻Rsnub，所述缓冲电容Csnub和所述缓冲电阻Rsnub串联连接，且所述缓冲电容Csnub和所述缓冲电阻Rsnub串联连接后的两端分别连接在母线电容和半桥模块之间。本发明利用缓冲电路来抑制SiC MOSFET关断时的过冲电压和振荡，不会牺牲SiC MOSFET的高速开关的优势。