一种高分辨率高刷新率Micro-LED器件结构及其制备方法

本发明公开了一种高分辨率高刷新率Micro‑LED器件结构及其制备方法，其中GaN基全彩像素芯片设置在多层玻璃载板的上端，玻璃载板的下端设置驱动IC芯片；GaN基全彩像素芯片包括红光层、蓝光层和绿光层，自下而上垂直呈阶梯状堆叠，且发光面积由下至上依次减少；驱动IC芯片与GaN基全彩像素芯片通过多层玻璃载板连接，并分别控制GaN基全彩像素芯片中的各发光层，实现高分辨率、高刷新率的彩色显示。本发明的方案的GaN基全彩像素芯片基于不同发光尺寸的红光层、绿光层和蓝光层呈垂直的阶梯状堆叠，并分别通过金属扩展电极、多层玻璃载板与驱动IC芯片连接，进行高刷新率的电路驱动，从而实现同一位置像素芯片在不同时域发出不同颜色的光，实现彩色显示的同时分辨率提高至现有三色子像素横向排列技术方案的三倍，能够实现高良品率、低成本的高分辨率高刷新率Micro‑LED器件结构制备，有利于支撑Micro‑LED产业化快速推进，符合国家新一代信息技术产业对新型显示的战略需求。