多结构凸点的晶圆级封装方法、系统、终端及存储介质

本申请涉及一种多结构凸点的晶圆级封装方法、系统、智能终端及存储介质，涉及芯片封装技术领域，其方法包括：在集成电路晶圆的介电层上溅射形成TiCu层；在TiCu层上方涂覆第一厚度的第一光刻胶层，第一厚度与第一凸点的高度匹配；在第一光刻胶层上形成第一凸点的图形；在集成电路晶圆上形成第一凸点；去除第一光刻胶层；在TiCu层上方涂覆第二厚度的第二光刻胶层，第二凸点的结构与第一凸点的结构不同；在第二光刻胶层上形成第二凸点的图形；在集成电路晶圆上形成第二凸点；去除第二光刻胶层和TiCu层，露出第一凸点和第二凸点；对集成电路晶圆进行回流，得到封装后的集成电路晶圆。本申请具有在晶圆级封装的集成电路晶圆上形成多种结构的电极凸点的效果。