ICMOS芯片的光锥耦合方法、ICMOS芯片、微处理器和日盲紫外光检测设备

AITNT
正文
推荐专利
ICMOS芯片的光锥耦合方法、ICMOS芯片、微处理器和日盲紫外光检测设备
申请号:CN202411578798
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119666143B
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种ICMOS芯片的光锥耦合方法、ICMOS芯片、微处理器和日盲紫外光检测设备,涉及日盲紫外光检测技术领域。采用本方法能够有效提高对光信号的利用率。该方法包括:使用分析纯酒精清洁CMOS芯片的感光面;对光锥的小平面进行切削,并在光锥耦合粘结时,在CMOS芯片的感光面像素区的边缘空余两行像素单元;使用分析纯酒精将光锥的表面进行清洗在光锥的小端面与CMOS芯片之间蒸镀ITO薄膜作为接地的导电层;在将CMOS芯片、光锥和像增强器进行对准后,将三者分别水平向分开,使用混胶比例3:1的环氧胶滴于感光面的表面,将CMOS芯片放在三维精密位移台后一边调节,一边在光锥的另一个平面观察,同时微微地按压光锥,使环氧胶在感光面内均匀涂覆且不产生气泡。
技术关键词
光锥 芯片 紫外光检测设备 像增强器 耦合方法 日盲紫外光 像素单元 ITO薄膜 微型测力传感器 微处理器 荧光屏 酸酐类固化剂 导电层 气泡 涂覆 氧化铟 氧化锡
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号