一种过功率保护高集成度射频开关芯片

本发明公开一种过功率保护高集成度射频开关芯片，涉及电子器件技术领域。自适应偏置网络、高功率支路以及过功率保护支路；高功率支路以及过功率保护支路均由多个晶体管单元彼此连接构成；多个晶体管单元构成反射式串并堆叠型射频开关；自适应偏置网络至少包括包络检波单元和共源放大单元；包络检波单元和共源放大单元用于分别检测输入功率和产生对应的直流电压来改变开关栅压，为反射式串并堆叠型射频开关提供过功率保护。本发明的方案基于晶体管单元建立反射式串并堆叠型射频开关，并在此基础上引入自适应偏置为开关提供过功率保护，实现功率过大时的分流保护，降低了射频前端电路的失效风险。