一种采用石墨烯材料制备MEMS芯片的方法及石墨烯MEMS芯片

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一种采用石墨烯材料制备MEMS芯片的方法及石墨烯MEMS芯片
申请号:CN202411581224
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119430068A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本发明涉及微机电系统制造技术领域,具体提供了一种采用石墨烯材料制备MEMS芯片的方法及石墨烯MEMS芯片,所述方法包括:步骤一,离子注入;步骤二,制备氧化层;步骤三,制备器件层;步骤四,制备牺牲层;步骤五,图形化;步骤六,制备石墨烯地电极;步骤七,释放牺牲层;步骤八,制备压电膜层;步骤九,制备石墨烯上电极;所述石墨烯MEMS芯片包括单晶硅衬底、氧化层、器件层、石墨烯地电极、压电膜层、石墨烯上电极;本发明采用石墨烯材料制备MEMS芯片,石墨烯材料在导电、导热、稳定性、生物兼容性等方面具有优异的性能,与金等传感器常用材料相比,在微纳制造、传感器、新能源等领域有着更为广阔的应用前景。
技术关键词
MEMS芯片 石墨烯材料 单晶硅衬底 释放牺牲层 氧化层 压力传感器单元 磁传感器单元 湿法刻蚀方法 光刻胶 传输网 多层结构 微机电系统 检测电极 光刻技术 刻蚀工艺 氮化钛 成膜
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