一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法

本发明公开了一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法；所述方法为：通过硅或二氧化硅衬底材料建模、LAMMPS软件初始化设置、等离子体刻蚀循环、数据输出与分析处理；本发明的方法利用分子动力学的方法在原子尺度上模拟等离子体‑表面相互作用机制，分析表面改性层的性质，模拟刻蚀条件独立可控，不同能量、入射角、入射剂量的等离子体刻蚀均可模拟，可以准确分析单一变量对刻蚀结果的影响；能准确、快速地预测不同入射条件下卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的效果，避免了实验带来的高成本、复杂性和不确定性，大幅缩短了卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅工艺的开发流程。