制造集成器件封装体的方法

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制造集成器件封装体的方法
申请号:CN202411582557
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119965156A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
一种用于制作集成器件封装体的方法,通过以下步骤进行:在多个芯片的第一侧上形成第一非导电介电层和在载体的第一侧上形成第一非导电介电层;通过将各个非导电介电层相互粘附,将多个芯片顺序键合到载体;在载体和多个芯片上形成填充非导电介电层,直到多个芯片被填充非导电介电层覆盖;然后,去除填充非导电介电层的一部分,以平坦化并暴露位于多个芯片的与第一侧相对的第二侧上的导电接触垫,从而形成可电连接到外部电子器件的重构芯片组件。
技术关键词
导电接触垫 介电层 芯片组件 重构 集成器件 载体 导电触点 封装体 硅穿孔 电子器件 电介质材料 对准标记 气相
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