一种稳压二极管芯片制作方法

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一种稳压二极管芯片制作方法
申请号:CN202411582978
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119603978B
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种稳压二极管芯片制作方法,属于电子配件领域。本发明中金属采用的镀镍和银的方法,增加了金属各层之间的粘附性,不易脱落,提高了可焊性、均匀性。采用扩散硅片的方法,只采用一次光刻,大大降低了成本。另外,本发明采用的玻璃粉进行玻璃钝化,该配方的玻璃粉在受到高温后更容易快速的熔化,避免熔化不均匀造成厚度不一致,导致玻璃层出现龟裂纹,提高了玻璃钝化的均匀性,在PN结面积增大的同时更好的保护了PN结,避免了漏电不良率,提高了工作电流。本发明采用正面紫外激光去除沟槽的玻璃进行开槽和背面红外的进行开槽,再进行裂片的方式,大大减少了切割过程的损失和对玻璃钝化层的破坏,有效的提高了产品产出率和良率。
技术关键词
芯片制作方法 稳压二极管 玻璃粉 碳化硅平板 清洗硅片表面杂质 氧化层 花篮 氢氟酸 玻璃烧结炉 SiO2薄膜 扩散炉 硅晶片表面 激光划片机 酸腐蚀 溶液 去离子水 去光刻胶 混合物 沟槽
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