一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用

本发明涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种单片集成激光器芯片及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤：在衬底上生长缓冲层材料，在激光器区、放大器区和调制器区上分别生长对应的有源材料后，覆盖第二介质掩膜，将二氧化硅材料覆盖在第二矩形介质掩膜和缓冲材料的表面，光刻形成光刻胶掩膜图形，利用氢氟酸腐蚀形成二氧化硅掩膜图形，生长无源波导材料，在激光器区的有源材料上覆盖光栅结构，生长包层材料和接触层材料，光刻胶掩膜图形对称设置于激光器区、放大器区和调制器区中轴线两侧，二氧化硅掩膜图形在激光器区和放大器区的宽度为Wa，在调制器区的宽度为Wm，Wm＞Wa。本发明减小光在不同区域之间的传输损耗且减小器件远场发散角。