一种纳米硅通孔制备方法和芯片封装结构

本申请提供一种纳米硅通孔制备方法和芯片封装结构，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取第一晶圆；通过刻蚀，在所述第一晶圆的第一表面上制备第一深孔；通过控制CVD化学气相沉积的沉积条件，利用介质层材料对所述第一深孔进行不完全填充，得到带有空腔的第二深孔；在所述第一表面上执行IC工艺，制备得到IC器件层；利用第一金属材料，在所述IC器件层的表面制备第一金属层，使所述第一金属层与所述IC器件层中的IC器件之间实现金属连接，且，所述第一金属层覆盖在所述第二深孔上；从所述第一晶圆的第二表面进行减薄，直至露出所述第二深孔的空腔；利用所述第一金属材料，填充所述第二深孔，得到纳米硅通孔结构。