集成氮化镓及氧化镓功率芯片及其制备方法、电子设备

本发明提供了一种集成氮化镓及氧化镓功率芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。集成氮化镓及氧化镓功率芯片中外延结构是将GaN层和Ga2O3层集成外延在同一衬底上，采用在GaN层上外延Ga2O3层的方法降低异质外延晶格失配，提升晶体质量。外延结构在第一区域上形成第一功能组件，以及在第二区域上形成第二功能组件，第一区域的表面为势垒层背离衬底一侧的表面，第二区域的表面为Ga2O3层背离衬底一侧的表面，实现将Ga2O3功率芯片和GaN功率芯片集成设置在同一衬底上的目的，减少引线互联和键合等工艺，可以进一步缩小宽禁带半导体功率系统的体积，避免分立芯片集成时引入寄生损耗、响应延迟和噪声等问题。