基于互锁结构的混合键合结构及键合方法

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基于互锁结构的混合键合结构及键合方法
申请号:CN202411591001
申请日期:2024-11-08
公开号:CN119447106A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种基于互锁结构的混合键合结构及键合方法,所述混合键合结构包括:待键合的第一芯片,其上具有第一氧化硅层及凸出于第一氧化硅层的第一铜连接件;待键合的第二芯片,其上具有第二氧化硅层、设于第二氧化硅层内的凹陷及设于凹陷底部的第二铜连接件,且第二铜连接件的表面设有第一粘附层;待键合的第一芯片及待键合的第二芯片被配置为:在键合前,第一铜连接件凸出第一氧化硅层的高度差小于第一粘附层顶面与第二氧化硅层顶面的高度差,在键合后,第一氧化硅层与第二氧化硅层连接且第一铜连接件伸入凹陷利用第一粘附层与第二铜连接件连接,并以形成互锁结构。本发明用于优化混合键合工艺及键合结构的性能。
技术关键词
互锁结构 混合键合结构 混合键合方法 二氧化硅 芯片 干法刻蚀工艺 物理气相沉积工艺 横截面尺寸 种子层 掩模 热压 电镀工艺 氮化钛 氨水 参数 压力
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