半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的阈值电压的同时，提升半导体器件的可靠性，半导体器件包括衬底、势垒层、第一盖帽层、第二盖帽层、源极和漏极，势垒层设置于衬底的一侧，第一盖帽层设置于势垒层远离衬底的一侧，源极和漏极沿第一方向位于第一盖帽层的相对两侧，且均设置于势垒层远离衬底的一侧，第二盖帽层至少部分嵌设于第一盖帽层内，且第一盖帽层覆盖第二盖帽层的沿第一方向的相对两侧的至少部分侧面以及第二盖帽层靠近衬底的一侧表面，第一盖帽层和第二盖帽层均包括P型掺杂的半导体材料，且第一盖帽层的掺杂浓度小于第二盖帽层的掺杂浓度。上述半导体器件应用于芯片中。