腐蚀条件下微小缝隙结构电子设备电磁屏蔽性能预测方法

本发明一种腐蚀条件下微小缝隙结构电子设备电磁屏蔽性能预测方法，属于电子设备电磁屏蔽性能预测领域，其包括以下步骤：S1、构建等效电导率的计算公式；S2、搭建具有微小缝隙结构的屏蔽箱体以及多组缝隙结构样品；S3、模拟腐蚀条件，对多组缝隙结构样品进行腐蚀，并对实验数据进行采集。S4、基于步骤S1构建的等效电导率的计算公式计算等效电导率并对电子设备电磁屏蔽性能进行预测。本发明能够实现对屏蔽体微小缝隙结构电导率参数的计算，能够快速评价腐蚀环境下屏蔽箱体微小结构表面电接触状态，同时可进一步近似评价屏蔽箱体电磁屏蔽效能退化情况，为屏蔽体服役寿命的准确评估提供重要依据和手段。