一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法

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一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法
申请号:CN202411594000
申请日期:2024-11-08
公开号:CN119545941B
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明创造涉及属于光学薄膜技术领域,具体提供一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法,包括:清洁CMOS成像芯片内的裸片,利用负性光刻胶掩盖住裸片表面的电极区域,在裸片表面的感光区域沉积滤光膜堆,刻蚀掉单个分光单元区域之外的滤光膜堆,保留的滤光膜堆形成一个光谱通道,在感光区域的其他分光单元分别制备其他光谱通道,清洁加工后的裸片并重新封装在CMOS成像芯片内;本发明解决成像芯片与像元级光谱滤光片集成时由于对准误差导致的光谱串扰、芯片与滤光片间的空气隙引起的牛顿环等问题,提高CMOS光谱成像芯片光谱成像质量。
技术关键词
分光制作方法 薄膜沉积工艺 低折射率材料 膜堆 磁控溅射薄膜沉积 电子束蒸发薄膜 负性光刻胶 刻蚀停止层 光单元 光谱成像芯片 光学薄膜技术 金属掩膜层 光刻工艺 光谱滤光片
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