一种基于物理引导神经网络的p-GaN栅HEMT建模方法

本发明涉及氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)紧凑型建模领域，针对p‑GaN栅HEMT紧凑型模型开发的难题，提供一种基于物理引导神经网络(Physics‑guided Neural Network，PGNN)的p‑GaN栅HEMT模型建立方法，包括以下步骤：先采用TCAD仿真工具构建p‑GaN栅HEMT晶体管模型，生成模型样本并提取仿真数据；构建基于物理引导神经网络的DerivNet模型和损失函数；最后使用仿真数据进行模型训练，得到基于物理引导神经网络p‑GaN栅HEMT模型。