功率子模组及具有其的功率模块

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功率子模组及具有其的功率模块
申请号:CN202411603332
申请日期:2024-11-11
公开号:CN119153458B
公开日期:2025-03-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种功率子模组及具有其的功率模块,该功率子模组包括:上半桥单元,包括上基板、多个并联的上MOSFET芯片、上串联二极管以及多个并联的上二极管芯片,上MOSFET芯片的数量为偶数,且两个上MOSFET芯片为一个上MOSFET芯片组,两个上MOSFET芯片组之间设置有一个上串联二极管;下半桥单元,包括下基板、多个并联的下MOSFET芯片、下串联二极管以及多个并联的下二极管芯片,下MOSFET芯片的数量为偶数,且两个下MOSFET芯片为一个下MOSFET芯片组,两个下MOSFET芯片组之间设置有一个下串联二极管。通过本申请提供的技术方案,能够解决相关技术中的功率模块的寄生电感较大,限制了碳化硅器件在高压领域的应用的问题。
技术关键词
栅极导电层 二极管芯片 串联二极管 功率端子 功率模块 栅极信号 信号端子 模组 基板 键合线 阳极 焊料 长条状结构 阴极 电阻
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