一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法

本发明提供一种混合集成电路的芯片埋置结构及其制备方法，它包括封装基板（1），在封装基板（1）上设有埋置槽（11）和BGA焊球（2），在埋置槽（11）内连接有多层芯片互联组件（3），在多层芯片互联组件（3）上连接有AlN基片（5），在埋置槽（11）内填注导热绝缘胶（6），AlN基片（5）通过金丝球键合实现与封装基板导体之间的电学连接。本发明提供的制备方式采用多层芯片互联组件内埋结构，明显提升了芯片埋置电路的集成效率、功能密度以及集成封装的散热能力，充分利用了内部结构空间，提升了高密度集成水平和封装可靠性。