一种稀疏SiPM阵列反射材料填充方法

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正文
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一种稀疏SiPM阵列反射材料填充方法
申请号:CN202411607026
申请日期:2024-11-12
公开号:CN119604047A
公开日期:2025-03-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种稀疏SiPM阵列反射材料填充方法,该方法包括:根据SiPM阵列中的芯片高度确定反射材料层数及每层反射材料的厚度;根据芯片长度和宽度确定每层反射材料的孔位尺寸;根据芯片中心坐标确定孔位中心坐标;根据每层反射材料的尺寸和孔位中心坐标进行切割;将反射材料按序多层叠加于稀疏SiPM阵列之间,以完成稀疏SiPM阵列反射材料的填充。其有益效果是,可以提高SiPM阵列反射材料的填充效率及减少死区面积,提高光子收集效率,进而提高了SIPM阵列探测器的性能,同时易返修,降低制作成本。
技术关键词
SiPM阵列 反射材料 填充方法 PET反射膜 光子收集效率 坐标 芯片 死区面积 激光切割机 尺寸 探测器
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