一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法、设备、介质及产品

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一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法、设备、介质及产品
申请号:CN202411607094
申请日期:2024-11-12
公开号:CN119558157B
公开日期:2025-09-05
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法、设备、介质及产品,涉及干法刻蚀和薄膜沉积表面微观形貌理论模拟领域。本申请基于三维晶格堆叠的层数高度,将六方晶格模型拆分成奇数层晶格单元和偶数层晶格单元;通过对奇偶数层先分开计算再合并比对的方式,解决了相邻奇偶数层间空间位置错位的问题,降低数值化处理难度;通过确定垂线与粒子飞行轨迹线间的垂直距离,实时剔除了六方晶格模型轮廓表面下无碰撞的晶格单元,节约计算量;通过确定投影分量,得到粒子飞行过程中与表面三维形貌的碰撞点,实现碰撞点的高效定位,提高六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定的效率。
技术关键词
粒子 表面三维形貌 坐标系 效应 表面微观形貌 模型轮廓 处理器 计算机程序产品 轨迹线 计算机设备 可读存储介质 存储器 直线 批量 错位 理论
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