发光二极管结构及其制造方法

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发光二极管结构及其制造方法
申请号:CN202411611514
申请日期:2024-11-12
公开号:CN119480866A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种发光二极管结构及其制造方法,发光二极管结构包括基板、多个发光二极管单元及反射层。这些发光二极管单元在基板上排成阵列,每一发光二极管单元包括发光二极管芯片、波长转换层及短通滤波镀膜。发光二极管芯片以覆晶的方式配置于基板上。波长转换层配置于发光二极管芯片上。短通滤波镀膜配置于波长转换层与发光二极管芯片之间。反射层填充于这些发光二极管单元的多个发光二极管芯片之间的间隙,且配置于这些发光二极管芯片的侧面。
技术关键词
发光二极管芯片 发光二极管结构 发光二极管单元 波长转换单元 基板 镀膜 光束 电极 透镜 半导体层 量子点层 驱动器 荧光粉 发光层 阵列 控制器 信号
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