具有快反向恢复的超结MOSFET及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有快反向恢复的超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过设置N型漂移区上的栅极介质层呈凹形结构，并且在栅极介质层的凹槽底部形成第一多晶硅层，栅极介质层的凹槽内形成位于第一多晶硅层上的隔离层，源极层与第一N型源区、第二N型源区、第一P型基区、第二P型基区、栅极介质层以及隔离层接触，漏极层形成于N型衬底的背面，隔离层用于在超结MOSFET反接时将源极层的电位传递至第一多晶硅层，使得N型漂移区内的导电沟道打开，分流反向电流，减少器件内体二极管的电流，达到减小体二极管反向恢复电流的目的。