一种半导体激光器制备方法及半导体激光器

本发明公开了一种半导体激光器制备方法及半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域。该半导体激光器制备方法包括：提供激光器芯片；将激光器芯片置于预设温度下的真空环境中；在激光器芯片的腔面上生长锌原子层；对锌原子层进行电离处理以产生锌离子，以诱导锌离子自腔面扩散至激光器芯片的量子阱层靠近腔面的区域。本发明提供的半导体激光器制备方法具有量子阱混杂效率更高、混杂品质更好，且操作步骤简单快捷的特点。