一种串联SiC MOSFET的混合开关电路、实验平台系统和功率板

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一种串联SiC MOSFET的混合开关电路、实验平台系统和功率板
申请号:CN202411614259
申请日期:2024-11-13
公开号:CN119341333A
公开日期:2025-01-21
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种串联SiC MOSFET的开关电路、实验平台系统和功率板,该开关电路包括:两个SiC MOSFET和Si IGBT,两个SiC MOSFET串联后与Si IGBT并联。采用闭环均压控制方案,克服串联MOS管间的关断电压不均,保障混合开关电压平衡。该开关在提升传统开关器件功率密度、效率、电压等级等特性的前提下,完成驱动方案,电路布局等方面的优化设计,实现功率器件在高频和高负载下工况下的性能优化。
技术关键词
开关电路 功率板 混合开关 栅极驱动芯片 MOSFET驱动电路 平台系统 IGBT驱动电路 支撑电容 开关器件 电压 电路布局 高压直流 驱动方法 功率器件 供电电路 主控芯片 驱动信号 关断
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