一种硅基MEMS三轴加速度传感器及制作方法

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体涉及一种硅基MEMS三轴加速度传感器及制作方法，包括：第一敏感单元、第二敏感单元、第三敏感单元、器件层、锚点、下盖板以及上盖板；第一敏感单元、第二敏感单元、第三敏感单元均设置在器件层，第二轴敏感单元和第三轴敏感单元镶嵌入第一敏感单元，且三个敏感单元共用同一个锚点；所述第一敏感单元用于检测Z轴加速度，所述第二敏感单元用于检测X轴加速度，所述第三敏感单元用于检测Y轴加速度；采用上盖板和下盖板将对器件层进行封装；本发明采用三个传感单元共用一个锚点，有效减小器件的应力，有效减小电学走线复杂程度。