闪存控制器芯片多核同步性能测试方法

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闪存控制器芯片多核同步性能测试方法
申请号:CN202411620502
申请日期:2024-11-14
公开号:CN119724318B
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
一种闪存控制器芯片多核同步性能测试方法,涉及闪存技术领域,采用多个测试核按照一定同步机制给闪存控制器驱动核(后端核)发命令的方式代替单个测试核发命令,可提升测试激励的压力密度,减少4K随机读等性能指标的测试过程中因对处理器算力不足引入的误差,当测试程序固件运行在多个处理器核上时,能缓解单个核压力不足的问题。
技术关键词
闪存控制器 性能测试方法 命令 标志位 闪存驱动程序 闪存控制芯片 位掩码 处理器 闪存技术 文本 核心 固件 序列 指令 日志 参数 压力
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