一种流体壁面剪压应力复合阵列传感器芯片

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一种流体壁面剪压应力复合阵列传感器芯片
申请号:CN202411621127
申请日期:2024-11-14
公开号:CN119437531B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明一种流体壁面剪压应力复合阵列传感器芯片,属于MEMS传感器技术领域;包括集成于芯片上的若干剪切应力传感器和压应力传感器,所述剪切应力传感器的整体排布阵型呈正十字形,压应力传感器的整体排布阵型呈×字形,将两种阵型同心叠加得到宫格式阵列布局;宫格式阵列的中心位置为压力传感器,若干剪切应力传感器以中心压力传感器为辐射中心沿正十字方向向外辐射布置,用以测量二维剪切应力,若干压应力传感器以中心压力传感器为辐射中心沿×字方向向外辐射布置,用以测量梯度压力。本发明解决了在复杂流体环境中,单点测量难以充分反映实际的流场应力分布的问题。
技术关键词
复合阵列传感器 应力传感器 压力测量方法 反射薄膜 压力传感器 系统误差 MEMS传感器技术 芯片 光栅薄膜 壁面 浮动结构 介质多层膜 测量点 抗反射涂层 氮化硅薄膜 加权平均法 薄膜层
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