一种利用反射光谱拟合计算掺杂半导体层厚度的方法

本发明涉及一种利用反射光谱拟合计算掺杂半导体层厚度的方法，包括：将晶圆上一层或多层掺杂半导体层的反射光谱输入到反射率与厚度的数学关系模型，并设定掺杂半导体层的层数，其中：在反射率与厚度的数学关系模型中，参数包括掺杂半导体层的层数、每个掺杂半导体层的载流子浓度、载流子迁移率和厚度，目标值是反射率；以及通过调整每个掺杂半导体层的载流子浓度、载流子迁移率和厚度，以将反射率与厚度的数学关系模型计算的理论光谱与反射光谱拟合，并输出载流子浓度、载流子迁移率和厚度。该方法不会损伤样品就可以得到每个掺杂半导体层的厚度。